晶圓制造工序之一離子注入，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵領(lǐng)域。離子注入技術(shù)是一種改變材料性能的高新技術(shù)，主要應(yīng)用于半導(dǎo)體材料摻雜，金屬、陶瓷等領(lǐng)域，在當代制造大規(guī)模集成電路中，可以說是一種必不可少的工序。

半導(dǎo)體制造工藝中的溫度高達1400 °C，并且有腐蝕性很強的氣體、電磁場和強大的機械力對傳統(tǒng)材料而言會產(chǎn)生諸多問題。

我們采用鎢、鉬、鉭等制成的高溫零部件應(yīng)用于離子注入制程，完好整合了防腐性、材料強度、高熱導(dǎo)率和juedui純度等特性，性能穩(wěn)定。確保了離子的優(yōu)良產(chǎn)生，在通往晶圓的光徑上離子受精準指引且不含雜質(zhì)。

離子注入過程用鎢鉬產(chǎn)品：
燈絲（鎢及其鎢合金）

· 弧縫（鎢及其鎢合金）

· 夾具（鎢、鉬及其合金）

· 陰極（鎢及其鎢合金）

· 零備件（鎢、鉬、鉭及其合金）

· 腔室（鎢、鉬及其合金